1.英伟达营收翻倍增长，毛利率同比增5个百分点

英伟达在美东时间周三盘后发布了2025财年第二财季（CY24Q2）财报，营收300.4亿美元，同比增长122%，环比增长15%；GAAP净利润166亿美元，同比增长168%，环比增长12%；毛利率75.1%，同比增长5个百分点，环比降低3.3个百分点。

来源：NVIDIA

英伟达数据中心业务营收263亿美元，同比增长154%，营收占比达到88%。游戏业务营收29亿美元，同比增长16%。汽车业务3.46亿美元，同比增长37%。

英伟达展望第三财季营收325亿美元，上下2%波动；GAAP毛利率75%，正负50个基点波动，全年毛利率预期70%左右。

2.美光收购友达两座厂房，用于前段晶圆测试

据科创板日报消息，友达光电公告，将位于台南市安南区科工段的2.6432万坪土地和面积4.4175万坪建物卖予美光，总金额74亿元新台币，预计处分利益41.74亿元新台币。

美光表示，收购的厂房将用于前段晶圆测试，以支持台中和桃园厂区持续增加的DRAM生产业务。

3.高通宣布收购Sequans的4G物联网技术

当地时间23日，高通宣布通过其子公司与物联网4G和5G半导体解决方案供应商Sequans Communications达成协议，将收购后者的4G物联网技术，此次收购包括某些员工、资产和许可证。

高通正在通过其尖端的物联网解决方案彻底改变行业，重新定义商业模式，并增强用户体验。Sequans是面向大规模和关键物联网市场的蜂窝半导体解决方案的设计师、开发商和供应商。将Sequans的4G物联网技术添加到高通公司先进的端到端物联网解决方案中，将加强高通公司的工业物联网产品组合，并为在该领域建立领导地位提供独特的机会。

4.SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5内存

SK海力士于29日宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM。公司以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺，在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化。与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。

此次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps，与前一代相比提高了11%，能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将SK海力士1c DRAM采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。

5.德州仪器发布超小型DLP显示控制器

德州仪器（TI）日前发布DLPC8445显示控制器，可适配超小型、高速且低功耗的4K超高清投影仪。该器件尺寸仅为9mm×9mm，是目前同类产品中尺寸更小的一款。当与DLP472TP兼容型数字微镜器件（DMD）和DLPA3085电源管理集成电路（PMIC）/LED 驱动器结合使用时，TI在紧凑型投影仪中复刻出高端电视和游戏显示器的显示体验。

新款DLPC8445控制器、DLP472TP DMD和DLPA3085 PMIC支持预量产，现可通过TI.com采购。

6.安森美发布升级版功率模块，集成硅与碳化硅器件

安森美日前推出F5BP封装的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模块(PIM)，非常适合用于提高大型太阳能组串式逆变器或储能系统(ESS)的功率。与前几代产品相比，新品相同尺寸下提供了更高的功率密度和效率，将太阳能逆变器的总系统功率从300 kW提高到350 kW。

F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT和1200V D3 EliteSiC二极管，实现高电压和大电流转换的同时降低功耗并提高可靠性。FS7 IGBT关断损耗低，可将开关损耗降低达8%，而EliteSiC二极管则提供了卓越的开关性能，与前几代产品相比，导通压降(VF)降低了15%。

7.TDK扩展ERU27M系列大电流扁线电感器，符合车规

被动器件大厂TDK日前宣布，扩展其ERU27M系列SMD大电流扁线电感器。随着汽车和工业应用中的功率密度和电流不断增加，该新系列通过使用合金粉末芯材来满足这些要求，该芯材具有比以前使用的芯材更软的饱和特性。

这些器件的额定电流为36A至48A，电感值范围为2.3µH至8.5µH。直流电阻低至0.68mΩ至1.66mΩ。这些组件的尺寸仅为27.1x25.55毫米，高度范围为14.1毫米至16.4毫米，设计工作温度为-40至+150摄氏度。这些器件符合AEC-Q200车规，可用于DC-DC转换器、VRM模块和POL转换器，特别是在汽车行业，也可用于太阳能转换器。

8.罗姆第4代SiC MOSFET批量应用于极氪三种主力车型

罗姆半导体日前宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团的电动汽车品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。吉利和罗姆自2018年以来持续开展技术交流，并于2021年缔结了以SiC功率器件为核心的战略伙伴关系，合作至今。

罗姆正在推进SiC器件的开发，计划于2025年推出第5代SiC MOSFET，同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。并且，通过构筑SiC供应体制，实现以裸芯片、分立器件和模块等各种形态供货，从而促进SiC的普及，为实现可持续发展社会做出贡献。