铁电记忆体(FRAM，或FeRAM)在1990年代中期被认为将成为主流技术，但至今仍与其他众多新记忆体技术一样，并没有如预期般迅速崛起。FRAM的内部运作原理类似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快闪记忆体的非挥发性;在1980年代首个成功的FRAM电路问世，其通用功能就被认为可以在许多应用中取代DRAM、SRAM与EEPROM。

“那样的情况就是没有发生，”半导体产业分析师Jim Handy (来自Objective Analysis)在Cypress收购FRAM供应商Ramtron时表示：“该技术总是比生产传统记忆体更昂贵。”自1980年代晚期，FRAM开发商因为对铁店材料的物理特性了解有限，而遭遇了各种问题;其中有很多与其他具潜力的、开发中的非挥发性记忆体所面临之问题类似，例如磁阻式记忆体(MRAM)、电阻式记忆体(RRAM)以及相变化记忆体(PCM)。

尽管一路颠簸，FRAM目前已经商业化量产，有适合多种应用的不同产品线。Handy 在最近表示，有人观察到：“ FRAM是未来的技术，而且注定要维持那样的模式;FRAM在某一段时间在某些方面是有潜力的，但还没有真正走向主流。”

如同所有的记忆体技术，成本是开拓市场的一大障碍;FRAM需要一层沉积在标准矽基板上的钙钛矿(Perovskite)晶体，钙钛矿晶体内含的元素会干扰矽电晶体，因此需要一个障碍层隔离钙钛矿与下方的矽基板。Handy表示，这种结构提高了FRAM元件的制造成本。

市场对FRAM确实有一些需求;根据Research and Markets 约一年前发布的市场研究报告预测，全球FRAM市场在2013~2018年间可达到16.4%的复合平均年成长率(CAGR)，其低功耗特性是推动市场成长的关键力量。

FRAM供应商包括现在归属于Cypress的Ramtrom、德州仪器(TI)以及富士通半导体(Fujitsu)，各家业者都扩大了在FRAM硬体与软体方面的研发投资，因此提升了FRAM的性能与效益，也扩展了其应用领域。。

鸡生蛋还是蛋生鸡的难题

富士通在2014年底最新发表的FRAM产品MB85RDP16LX是一款超低功耗元件，整合了二进位功能，能对节省能源有所贡献;该公司新产品锁定的目标市场是工业自动化应用，包括旋转编码器(rotary encoders)、马达控制器以及感测器。为符合工业自动化市场需求，该元件支援-40~105 °C运作温度，保证10年无资料流失风险。

收购了FRAM领导供应商Ramtron 的Cypress，一直致力以与SRAM相同